IXFP12N65X2
Tillverkare Produktnummer:

IXFP12N65X2

Product Overview

Tillverkare:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXFP12N65X2-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventarier:

290 Pcs Ny Original I Lager
12905780
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IXFP12N65X2 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
310mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1134 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
180W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IXFP12

Datablad och dokument

Datasheets
IXFP12N65X2
HTML-Datasheet
IXFP12N65X2-DG
Datablad
IXF(A,P,H)12N65X2 Building, Home Automation Appl Guide

Ytterligare information

Standard-paket
50

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

IRFP460P

MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3

vishay-siliconix

IRFR9024TRLPBF

MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK

diodes

ZVP2110GTA

MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223

diodes

ZXMN10A07ZTA

MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3