Tillverkare Produktnummer:
IXFN80N60P3
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFN80N60P3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventarier:
8 Pcs Ny Original I Lager
12909654
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFN80N60P3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar3™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
70mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13100 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
960W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Chassis Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-227B
Paket / Fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Grundläggande produktnummer
IXFN80
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
10
Andra namn
-IXFN80N60P3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFBC40STRL
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IRFBC40LCSTRR
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
2N6660JTXP02
MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
