Tillverkare Produktnummer:
IXFN52N100X
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFN52N100X-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1000V 44A SOT227B
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1000 V 44A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventarier:
12907031
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFN52N100X Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1000 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
44A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
125mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 4mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
245 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6725 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
830W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Chassis Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-227B
Paket / Fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Grundläggande produktnummer
IXFN52
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
10
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFA3N80
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
IRFR9210TR
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
IRF9Z34STRLPBF
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
