IXFN40N110P
Tillverkare Produktnummer:

IXFN40N110P

Product Overview

Tillverkare:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXFN40N110P-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1100 V 34A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventarier:

Förfrågan Online
12821401
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IXFN40N110P Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
-
Serie
HiPerFET™, Polar
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
260mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
310 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
19000 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
890W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Chassis Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-227B
Paket / Fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Grundläggande produktnummer
IXFN40

Datablad och dokument

Datablad
IXFN40N110P
Datasheets
IXFN40N110P
HTML-Datasheet
IXFN40N110P-DG

Ytterligare information

Standard-paket
10

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
APT10025JVR
Tillverkare
Microchip Technology
ANTAL TILLGÄNGLIGT
9
DEL NUMMER
APT10025JVR-DG
ENHETSPRIS
65.31
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
littelfuse

IXTQ96N15P

MOSFET N-CH 150V 96A TO3P

littelfuse

IXTH62N25T

MOSFET N-CH 250V 62A TO247

littelfuse

IXFT23N60Q

MOSFET N-CH 600V 23A TO268

littelfuse

IXTH6N50D2

MOSFET N-CH 500V 6A TO247