Tillverkare Produktnummer:
IXFN32N80P
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFN32N80P-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 29A (Tc) 625W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventarier:
12820224
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFN32N80P Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
270mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8820 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
625W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Chassis Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-227B
Paket / Fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Grundläggande produktnummer
IXFN32
Ytterligare information
Standard-paket
10
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXTA48P05T
MOSFET P-CH 50V 48A TO263
IXFV12N120PS
MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD
IXTA80N12T2
MOSFET N-CH 120V 80A TO263