Tillverkare Produktnummer:
IXFN30N120P
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFN30N120P-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventarier:
12819273
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFN30N120P Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
310 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
19000 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
890W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Chassis Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-227B
Paket / Fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Grundläggande produktnummer
IXFN30
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
10
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFH150N25X3
MOSFET N-CH 250V 150A TO247
IXTP50N25T
MOSFET N-CH 250V 50A TO220AB
IXFH150N20T
MOSFET N-CH 200V 150A TO247AD
