Tillverkare Produktnummer:
IXFN170N65X2
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFN170N65X2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 170A SOT227B
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 170A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventarier:
20 Pcs Ny Original I Lager
12820232
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFN170N65X2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
13mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
434 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
27000 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1170W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Chassis Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-227B
Paket / Fodral
SOT-227-4, miniBLOC
Grundläggande produktnummer
IXFN170
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
10
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFH12N90
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
IXTN8N150L
MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
IXFP8N85XM
MOSFET N-CH 850V 8A TO220
