Tillverkare Produktnummer:
IXFH8N80
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFH8N80-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 8A TO247AD
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventarier:
12913928
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFH8N80 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
-
Serie
HiPerFET™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
180W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AD (IXFH)
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IXFH8
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STW10NK80Z
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
39
DEL NUMMER
STW10NK80Z-DG
ENHETSPRIS
2.27
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFR420APBF
MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK
IRFIBC20GPBF
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
SI3441BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.45A 6TSOP
