Tillverkare Produktnummer:
IXFH80N65X2-4
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFH80N65X2-4-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Inventarier:
12821873
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFH80N65X2-4 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
38mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
890W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-4L
Paket / Fodral
TO-247-4
Grundläggande produktnummer
IXFH80
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
-IXFH80N65X2-4
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPZA60R037P7XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
240
DEL NUMMER
IPZA60R037P7XKSA1-DG
ENHETSPRIS
6.39
Ersättnings typ
Similar
DELNUMMER
STW69N65M5-4
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
395
DEL NUMMER
STW69N65M5-4-DG
ENHETSPRIS
7.47
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFN27N80
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
IXTH7P50
MOSFET P-CH 500V 7A TO247
IXFP76N15T2
MOSFET N-CH 150V 76A TO220AB
