Tillverkare Produktnummer:
IXFH52N50P2
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFH52N50P2-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 500 V 52A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventarier:
12916315
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFH52N50P2 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
500 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
120mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
960W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AD (IXFH)
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IXFH52
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
30
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STW26NM50
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
364
DEL NUMMER
STW26NM50-DG
ENHETSPRIS
6.36
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIE844DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 44.5A 10POLARPAK
SQS482ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8W
SUM110N04-2M1P-E3
MOSFET N-CH 40V 29A/110A TO263
