IXFH34N65X2
Tillverkare Produktnummer:

IXFH34N65X2

Product Overview

Tillverkare:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXFH34N65X2-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Inventarier:

89 Pcs Ny Original I Lager
12820623
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IXFH34N65X2 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
105mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3330 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
540W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247 (IXTH)
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IXFH34

Datablad och dokument

Datasheets
IXFH34N65X2
HTML-Datasheet
IXFH34N65X2-DG
Datablad
IXFx34N65X2 Building, Home Automation Appl Guide

Ytterligare information

Standard-paket
30
Andra namn
IXFH34N65X2XINACTIVE
IXFH34N65X2X
IXFH34N65X2X-DG

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
littelfuse

IXFX24N90Q

MOSFET N-CH 900V 24A PLUS247-3

littelfuse

IXTH68P20T

MOSFET P-CH 200V 68A TO247

littelfuse

IXFT340N075T2

MOSFET N-CH 75V 340A TO268

littelfuse

IXTT120N15P

MOSFET N-CH 150V 120A TO268