IXFH18N90P
Tillverkare Produktnummer:

IXFH18N90P

Product Overview

Tillverkare:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXFH18N90P-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 900V 18A TO247AD
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 900 V 18A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Inventarier:

Förfrågan Online
12822230
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IXFH18N90P Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
900 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
600mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
97 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5230 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
540W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247AD (IXFH)
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
IXFH18

Datablad och dokument

Datablad
IXF(H,T,V)18N90P/PS
Datasheets
IXFH18N90P
HTML-Datasheet
IXFH18N90P-DG

Ytterligare information

Standard-paket
30

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
littelfuse

IXFK94N50P2

MOSFET N-CH 500V 94A TO264AA

littelfuse

IXTK160N20

MOSFET N-CH 200V 160A TO264

littelfuse

IXTP1N100

MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO220AB

littelfuse

IXFK32N100P

MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA