Tillverkare Produktnummer:
IXFA6N120P-TRL
Product Overview
Tillverkare:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXFA6N120P-TRL-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO263
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 6A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Inventarier:
800 Pcs Ny Original I Lager
12819459
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IXFA6N120P-TRL Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Littelfuse
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HiPerFET™, Polar
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2830 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
250W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263AA (IXFA)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IXFA6N120
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
IXFA6N120PTRL-DG
IXFA6N120P TRL
IXFA6N120PTRL
Q10805674
IXFA6N120P TRL-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXFT94N30P3
MOSFET N-CH 300V 94A TO268
IXKN45N80C
MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
IXTH72N30T
MOSFET N-CH 300V 72A TO247
