Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
IV1Q12050T4
Product Overview
Tillverkare:
Inventchip
DiGi Electronics Delenummer:
IV1Q12050T4-DG
Beskrivning:
SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 58A (Tc) 344W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventarier:
Förfrågan Online
12975354
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IV1Q12050T4 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Inventchip Technology
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
20V
rds på (max) @ id, vgs
65mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 6mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 20 V
Vgs (max)
+20V, -5V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2750 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
344W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-4
Paket / Fodral
TO-247-4
Datablad och dokument
Datablad
IV1Q12050T4
Datasheets
IV1Q12050T4
HTML-Datasheet
IV1Q12050T4-DG
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
4084-IV1Q12050T4
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PH5830DLX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
FDT3612-SN00151
MOSFET N-CH 100V SOT223
CTLM7110-M832D BK
TRANSISTOR
PJMP120N60EC_T0_00001
600V SUPER JUNCITON MOSFET