IRFZ44ZLPBF
Tillverkare Produktnummer:

IRFZ44ZLPBF

Product Overview

Tillverkare:

International Rectifier

DiGi Electronics Delenummer:

IRFZ44ZLPBF-DG

Beskrivning:

IRFZ44 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-262

Inventarier:

1635 Pcs Ny Original I Lager
12946865
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFZ44ZLPBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
55 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
13.9mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1420 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
80W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
284
Andra namn
INFINFIRFZ44ZLPBF
2156-IRFZ44ZLPBF

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FQU9N25TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

fairchild-semiconductor

FDD6030L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

onsemi

FQP16N25C-F105

FQP16N25 - POWER FIELD-EFFECT TR

fairchild-semiconductor

FQP10N20C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9