Tillverkare Produktnummer:
IRFAC50
Product Overview
Tillverkare:
International Rectifier
DiGi Electronics Delenummer:
IRFAC50-DG
Beskrivning:
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 10.6A 150W Through Hole TO-204AA (TO-3)
Inventarier:
129 Pcs Ny Original I Lager
12933227
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFAC50 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.6A
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
-
rds på (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max)
-
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
150W
Drifttemperatur
-
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-204AA (TO-3)
Paket / Fodral
TO-204AA, TO-3
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
41
Andra namn
2156-IRFAC50
IRFIRFIRFAC50
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
2SK3140-02-E
N-CHANNEL POWER MOSFET
CPH3445-TL-E
NCH 4V DRIVE SERIES
2SK3055(1)-AZ
N-CHANNEL POWER MOSFET
