Tillverkare Produktnummer:
IRF6662TRPBF
Product Overview
Tillverkare:
International Rectifier
DiGi Electronics Delenummer:
IRF6662TRPBF-DG
Beskrivning:
IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventarier:
9118 Pcs Ny Original I Lager
12947335
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF6662TRPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.3A (Ta), 47A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
22mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1360 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DIRECTFET™ MZ
Paket / Fodral
DirectFET™ Isometric MZ
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
253
Andra namn
2156-IRF6662TRPBF
INFIRFIRF6662TRPBF
Miljö- och exportklassificering
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PH1030DLSX
POWER MOS
FDPF8N50NZU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
PSMN2R8-40BS,118
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
