IRF6637TRPBF
Tillverkare Produktnummer:

IRF6637TRPBF

Product Overview

Tillverkare:

International Rectifier

DiGi Electronics Delenummer:

IRF6637TRPBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFT
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 59A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MP

Inventarier:

26574 Pcs Ny Original I Lager
12946622
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF6637TRPBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
14A (Ta), 59A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
7.7mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1330 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DIRECTFET™ MP
Paket / Fodral
DirectFET™ Isometric MP

Datablad och dokument

Datablad
IRF6637TRPBF Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
332
Andra namn
2156-IRF6637TRPBF
INFINFIRF6637TRPBF

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FQPF6N80T

MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F

fairchild-semiconductor

FQP4N20L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

international-rectifier

IRF6726MTRPBF

IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW

fairchild-semiconductor

FDPF44N25TRDTU

MOSFET N-CH 250V 44A TO220F