Tillverkare Produktnummer:
IRF6620TRPBF
Product Overview
Tillverkare:
International Rectifier
DiGi Electronics Delenummer:
IRF6620TRPBF-DG
Beskrivning:
IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 27A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventarier:
980 Pcs Ny Original I Lager
12947707
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRF6620TRPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
27A (Ta), 150A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.7mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4130 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Drifttemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
DIRECTFET™ MX
Paket / Fodral
DirectFET™ Isometric MX
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
439
Andra namn
2156-IRF6620TRPBF
INFIRFIRF6620TRPBF
Miljö- och exportklassificering
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
STP21NM50N
MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
PSMN1R9-40PL,127
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
PMCM6501VPEZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
