IRF3703PBF
Tillverkare Produktnummer:

IRF3703PBF

Product Overview

Tillverkare:

International Rectifier

DiGi Electronics Delenummer:

IRF3703PBF-DG

Beskrivning:

IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 210A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventarier:

21172 Pcs Ny Original I Lager
12946819
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRF3703PBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
7V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.8mOhm @ 76A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
209 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8250 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 230W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
167
Andra namn
2156-IRF3703PBF-IR
INFIRFIRF3703PBF

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDG316P

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

fairchild-semiconductor

FQU8P10TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FDMC7672

MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP

fairchild-semiconductor

FQU5N40TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3