AUIRF7675M2TR

Tillverkare Produktnummer:

AUIRF7675M2TR

Product Overview

Tillverkare:

International Rectifier

DiGi Electronics Delenummer:

AUIRF7675M2TR-DG

Beskrivning:

AUIRF7675M2 - 120V-300V N-CHANNE

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 150 V 4.4A (Ta), 18A (Tc) 2.7W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric M2

Inventarier:

2988 Pcs Ny Original I Lager

12946055

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

AUIRF7675M2TR Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Förpackning

Bulk

Serie

HEXFET®

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

150 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

4.4A (Ta), 18A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

56mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 100µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

32 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1360 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

2.7W (Ta), 45W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

DirectFET™ Isometric M2

Paket / Fodral

DirectFET™ Isometric M2

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket

267

Andra namn

INFIRFAUIRF7675M2TR

2156-AUIRF7675M2TR

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

fairchild-semiconductor

FCP16N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

2SK2632LS-CB11

2SK2632 - 2.5A, 800V, 4.8OHM, N-

fairchild-semiconductor

FCH077N65F-F085

MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3

fairchild-semiconductor

FCH47N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4