SPS03N60C3

Tillverkare Produktnummer:

SPS03N60C3

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

SPS03N60C3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11

Inventarier:

Förfrågan Online

12806896

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

SPS03N60C3 Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

-

Serie

CoolMOS™

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

600 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

3.2A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

1.4Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.9V @ 135µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

17 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

400 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

38W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

PG-TO251-3-11

Paket / Fodral

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Grundläggande produktnummer

SPS03N

Datablad och dokument

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

1

Andra namn

SP000235877

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

infineon-technologies

SPD03N60C3BTMA1

MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK

infineon-technologies

SPW17N80C3FKSA1

MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3

infineon-technologies

SPD06N60C3ATMA1

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO252-3

infineon-technologies

IRL540NLPBF

MOSFET N-CH 100V 36A TO262