Tillverkare Produktnummer:
SPP80P06PHXKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SPP80P06PHXKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventarier:
5150 Pcs Ny Original I Lager
12807507
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SPP80P06PHXKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
SIPMOS®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
23mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5033 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
340W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SPP80P06
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SPP80P06PH
SPP80P06PHXKSA1-DG
SPP80P06P G
SP000441774
SPP80P06P H
448-SPP80P06PHXKSA1
SPP80P06P H-DG
SPP80P06P G-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
SPB100N03S2-03 G
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
IRFL4105TR
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
