Tillverkare Produktnummer:
SPP15N60C3XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SPP15N60C3XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventarier:
451 Pcs Ny Original I Lager
12807742
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SPP15N60C3XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
280mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 675µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1660 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
156W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SPP15N60
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SPP15N60C3
SPP15N60C3IN-DG
SP000681050
SPP15N60C3IN
SPP15N60C3X
SPP15N60C3XK
SPP15N60C3XKSA1-DG
448-SPP15N60C3XKSA1
SPP15N60C3-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRLR024ZPBF
MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
IRLI2203N
MOSFET N-CH 30V 61A TO220AB FP
SPP100N06S2-05
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
