SPP08N80C3XK
Tillverkare Produktnummer:

SPP08N80C3XK

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

SPP08N80C3XK-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Inventarier:

Förfrågan Online
12806604
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SPP08N80C3XK Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 470µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
104W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SPP08N

Ytterligare information

Standard-paket
1,000
Andra namn
SP000013704

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
SPP08N80C3XKSA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1997
DEL NUMMER
SPP08N80C3XKSA1-DG
ENHETSPRIS
1.00
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

SPD04N60C3

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3

microchip-technology

VP0550N3-G-P013

MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3

infineon-technologies

IRL3714ZS

MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK

infineon-technologies

IRLR2705TRRPBF

MOSFET N-CH 55V 28A DPAK