Tillverkare Produktnummer:
SPP04N80C3XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SPP04N80C3XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventarier:
590 Pcs Ny Original I Lager
12806262
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SPP04N80C3XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
800 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 240µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
570 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
63W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SPP04N80
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SPP04N80C3XTIN-DG
SPP04N80C3
SP000683152
SPP04N80C3IN-DG
SPP04N80C3IN-NDR
2156-SPP04N80C3XKSA1
SPP04N80C3X
SPP04N80C3IN
SPP04N80C3XTIN
IFEINFSPP04N80C3XKSA1
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFR220NTR
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
IRFR9024NTRR
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
IRF7326D2TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO
