Tillverkare Produktnummer:
SPP02N60S5HKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SPP02N60S5HKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO220-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventarier:
12807465
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SPP02N60S5HKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 80µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
240 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
25W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO220-3-1
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SPP02N
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SPP02N60S5IN
SPP02N60S5XK
SPP02N60S5X
SPP02N60S5-DG
SPP02N60S5
SP000012390
SP000681016
SPP02N60S5IN-DG
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRL3716S
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
IRLL2705TR
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
IRLR3110ZTRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK