Tillverkare Produktnummer:
SPI12N50C3XKSA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SPI12N50C3XKSA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 560 V 11.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventarier:
12855398
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SPI12N50C3XKSA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
560 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11.6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 500µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
PG-TO262-3-1
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
SPI12N
Ytterligare information
Standard-paket
500
Andra namn
IFEINFSPI12N50C3XKSA1
SPI12N50C3IN
SPI12N50C3IN-DG
SPI12N50C3
SPI12N50C3X
SP000680996
2156-SPI12N50C3XKSA1-IT
SPI12N50C3-DG
SPI12N50C3XK
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
STI24NM60N
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
981
DEL NUMMER
STI24NM60N-DG
ENHETSPRIS
2.27
Ersättnings typ
Direct
DELNUMMER
STP14NM50N
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
892
DEL NUMMER
STP14NM50N-DG
ENHETSPRIS
1.69
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
NTMFS4955NT3G
MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN
RJK03C1DPB-00#J5
MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK
MMDF3N02HDR2G
MOSFET N-CH 20V 3.8A 8SOIC
