Tillverkare Produktnummer:
SPD30P06PGBTMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SPD30P06PGBTMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 30A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventarier:
16514 Pcs Ny Original I Lager
12807354
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SPD30P06PGBTMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
75mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.7mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1535 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
SPD30P06
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
SPD30P06PGBTMA1CT
2832-SPD30P06PGBTMA1
SPD30P06P G
SPD30P06PGBTMA1DKR
SPD30P06P GCT
SPD30P06P G-DG
SPD30P06P GCT-DG
SPD30P06P GTR-DG
SPD30P06PG
SPD30P06P GDKR
SPD30P06PGBTMA1TR
SP000441776
SPD30P06P GDKR-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SPB07N60S5ATMA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263-3
IRLR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
SPI08N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO262-3
