SPD03N60C3ATMA1
Tillverkare Produktnummer:

SPD03N60C3ATMA1

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

SPD03N60C3ATMA1-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventarier:

27364 Pcs Ny Original I Lager
12807870
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SPD03N60C3ATMA1 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 135µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
38W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO252-3
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
SPD03N60

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
2,500
Andra namn
448-SPD03N60C3ATMA1CT
448-SPD03N60C3ATMA1DKR
SPD03N60C3ATMA1-DG
448-SPD03N60C3ATMA1TR
SP001117760

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
infineon-technologies

SPB08P06PGATMA1

MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK

infineon-technologies

SPP100N03S203

MOSFET N-CH 30V 100A TO220-3

microchip-technology

TN0610N3-G-P003

MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3

infineon-technologies

IRLR7833

MOSFET N-CH 30V 140A DPAK