Tillverkare Produktnummer:
SPB80P06PGATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SPB80P06PGATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
41 Pcs Ny Original I Lager
12806151
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SPB80P06PGATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
SIPMOS®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
23mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5033 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
340W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
SPB80P06
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SP000096088
SPB80P06P G-DG
SPB80P06PGATMA1CT
SPB80P06PGXT
SPB80P06PGINDKR-DG
SPB80P06PGINCT
SPB80P06P G
SPB80P06PG
SPB80P06PGINDKR
SPB80P06PGATMA1DKR
SPB80P06PGATMA1TR
SPB80P06PGINDKRINACTIVE
SPB80P06PGINCT-DG
SPB80P06PGINTR
SPB80P06PGINTR-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFL4105TRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
IRFH6200TRPBF
MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
SPB100N03S2L-03
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
