Tillverkare Produktnummer:
SPB21N50C3ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SPB21N50C3ATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 560 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventarier:
2928 Pcs Ny Original I Lager
12807539
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SPB21N50C3ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
560 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
208W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3-2
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
SPB21N50
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SPB21N50C3XT
SPB21N50C3INCT
SPB21N50C3INCT-DG
SPB21N50C3INTR-DG
INFINFSPB21N50C3ATMA1
SPB21N50C3ATMA1CT
Q2088067
SPB21N50C3
SPB21N50C3INTR
SPB21N50C3-DG
SPB21N50C3ATMA1DKR
SPB21N50C3INDKR-DG
2156-SPB21N50C3ATMA1
SPB21N50C3ATMA1TR
SPB21N50C3INDKR
SP000013833
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SPB10N10
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
IRLL014NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRLL024ZPBF
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
