Tillverkare Produktnummer:
SI4435DYTRPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SI4435DYTRPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 30 V 8A (Tc) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventarier:
43578 Pcs Ny Original I Lager
12806352
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI4435DYTRPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
20mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2320 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SO
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
SI4435
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
SI4435DYPBFTR
SI4435DYPBFCT
SI4435DYPBFDKR
SP001573756
*SI4435DYTRPBF
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRLR7807ZTRLPBF
MOSFET N-CH 30V 43A DPAK
SPA15N60CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP
IPP147N03L G
MOSFET N-CH 30V 20A TO220-3
