Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SI4410DYPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
SI4410DYPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventarier:
Förfrågan Online
12807491
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI4410DYPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Discontinued at Digi-Key
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
13.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1585 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SO
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datablad och dokument
Datablad
SI4410DY
Datasheets
SI4410DYPBF
HTML-Datasheet
SI4410DYPBF-DG
Ytterligare information
Standard-paket
95
Andra namn
INFINFSI4410DYPBF
SP001563080
2156-SI4410DYPBF-IT
62-0231PBF
62-0231PBF-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
BSO110N03MSGXUMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
7364
DEL NUMMER
BSO110N03MSGXUMA1-DG
ENHETSPRIS
0.32
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
DMG4466SSSL-13
Tillverkare
Diodes Incorporated
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1250
DEL NUMMER
DMG4466SSSL-13-DG
ENHETSPRIS
0.15
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPW60R190P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
SPP12N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220-3
TN5325N3-G
MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
SIPC46N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH