Tillverkare Produktnummer:
ISC0702NLSATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
ISC0702NLSATMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 23A (Ta), 135A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Inventarier:
8744 Pcs Ny Original I Lager
12965505
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
ISC0702NLSATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A (Ta), 135A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 38µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3W (Ta), 100W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TDSON-8
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
ISC0702N
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
448-ISC0702NLSATMA1TR
448-ISC0702NLSATMA1CT
448-ISC0702NLSATMA1DKR
SP005417416
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI5855DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
PJE138K_R1_00001
SOT-523, MOSFET
DMN3028LQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,
