Tillverkare Produktnummer:
ISC030N12NM6ATMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
ISC030N12NM6ATMA1-DG
Beskrivning:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 120 V 21A (Ta), 194A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Inventarier:
12992706
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
ISC030N12NM6ATMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 6
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
120 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Ta), 194A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
8V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.04mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 141µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5500 pF @ 60 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3W (Ta), 250W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TSON-8-3
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
ISC030N
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
5,000
Andra namn
448-ISC030N12NM6ATMA1TR
448-ISC030N12NM6ATMA1DKR
448-ISC030N12NM6ATMA1CT
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
ISZ330N12LM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
IPT017N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
ISC037N12NM6ATMA1
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
