Tillverkare Produktnummer:
IRLSL3036PBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRLSL3036PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-262
Inventarier:
12822663
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRLSL3036PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 165A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11210 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
380W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
2156-IRLSL3036PBF
INFINFIRLSL3036PBF
SP001559028
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IXTH1N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 1A TO247HV
IPW65R150CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
IRLS4030PBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
