Tillverkare Produktnummer:
IRLS4030-7PPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRLS4030-7PPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Inventarier:
12818562
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRLS4030-7PPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Discontinued at Digi-Key
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
190A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.9mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11490 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
370W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
D2PAK (7-Lead)
Paket / Fodral
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Datablad och dokument
Datablad
Datasheets
Resurser för design
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SP001568682
IRLS40307PPBF
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IPB039N10N3GATMA1
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
29647
DEL NUMMER
IPB039N10N3GATMA1-DG
ENHETSPRIS
1.22
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
DN2535N3-G
MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
IRF1312PBF
MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB
IRF6614TR1
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
