Tillverkare Produktnummer:
IRLH5030TRPBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRLH5030TRPBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventarier:
8710 Pcs Ny Original I Lager
12807731
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRLH5030TRPBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13A (Ta), 100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5185 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-PQFN (5x6)
Paket / Fodral
8-PowerVDFN
Grundläggande produktnummer
IRLH5030
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
4,000
Andra namn
IRLH5030TRPBF-DG
IRLH5030TRPBFTR
IRLH5030TRPBFCT
IRLH5030TRPBFDKR
SP001558752
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
TP0606N3-G-P003
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
SPB100N08S2-07
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
SIPC26N80C3
MOSFET COOL MOS 600V SAWED WAFER
