IRLBA1304P
Tillverkare Produktnummer:

IRLBA1304P

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRLBA1304P-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 185A (Tc) 300W (Tc) Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)

Inventarier:

Förfrågan Online
12807030
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRLBA1304P Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
185A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±16V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7660 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
300W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
SUPER-220™ (TO-273AA)
Paket / Fodral
TO-273AA

Datablad och dokument

Datablad
IRLBA1304
Resurser för design
IRLBA1304 Saber Model

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
*IRLBA1304P

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IRF7807VD2

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

infineon-technologies

IRLR3303TRRPBF

MOSFET N-CH 30V 35A DPAK

infineon-technologies

IRLZ24NLPBF

MOSFET N-CH 55V 18A TO262

infineon-technologies

IRL540NSTRRPBF

MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK