Tillverkare Produktnummer:
IRL60B216
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRL60B216-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
12806917
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRL60B216 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®, StrongIRFET™
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
258 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
15570 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
IRL60B216
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Andra namn
SP001568416
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
CSD18535KCS
Tillverkare
Texas Instruments
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2411
DEL NUMMER
CSD18535KCS-DG
ENHETSPRIS
1.29
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP220N6F7
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
196
DEL NUMMER
STP220N6F7-DG
ENHETSPRIS
1.47
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SPP70N10L
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
IRLZ44NPBF
MOSFET N-CH 55V 47A TO220AB
IRFU3709ZPBF
MOSFET N-CH 30V 86A IPAK