Tillverkare Produktnummer:
IRL40S212ARMA1
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRL40S212ARMA1-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 195A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventarier:
25600 Pcs Ny Original I Lager
12955654
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRL40S212ARMA1 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®, StrongIRFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
137 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8320 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
231W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PG-TO263-3
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
IRL40S212
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
448-IRL40S212ARMA1TR
448-IRL40S212ARMA1CT
448-IRL40S212ARMA1DKR
SP005417006
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFD220PBF
MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP
IRF9640STRL
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
IRFP250PBF
MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
