IRL3803LPBF

Tillverkare Produktnummer:

IRL3803LPBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRL3803LPBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 30V 140A TO262

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 30 V 140A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262

Inventarier:

Förfrågan Online

12806526

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRL3803LPBF Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

-

Serie

HEXFET®

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

30 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

140A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

6mOhm @ 71A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

140 nC @ 4.5 V

Vgs (max)

±16V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

5000 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-262

Paket / Fodral

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

50

Andra namn

SP001568484

*IRL3803LPBF

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

infineon-technologies

SPW11N60CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V 11A TO247-3

infineon-technologies

IRLR9343-701PBF

MOSFET P-CH 55V 20A IPAK

infineon-technologies

SPP07N65C3HKSA1

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3

infineon-technologies

SPB20N60S5ATMA1

MOSFET N-CH 600V 20A TO263-3