Tillverkare Produktnummer:
IRFU4620PBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFU4620PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 24A IPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 24A (Tc) 144W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventarier:
12803340
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFU4620PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
78mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1710 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
144W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
IPAK (TO-251AA)
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
SP001573610
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF9540NL
MOSFET P-CH 100V 23A TO262
IPD80R2K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
IPC60R380E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
