Tillverkare Produktnummer:
IRFU3412PBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFU3412PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 48A IPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 48A (Tc) 140W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventarier:
12815028
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFU3412PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
25mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3430 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
140W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
IPAK (TO-251AA)
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datablad och dokument
Datablad
Resurser för design
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
*IRFU3412PBF
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRF6619TR1
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
CSD16342Q5A
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
CSD16323Q3
MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
