Tillverkare Produktnummer:
IRFU3410PBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFU3410PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 31A IPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 31A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Inventarier:
3321 Pcs Ny Original I Lager
12818752
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFU3410PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
HEXFET®
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
39mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1690 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3W (Ta), 110W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
IPAK (TO-251AA)
Paket / Fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grundläggande produktnummer
IRFU3410
Datablad och dokument
Datablad
Datasheets
Resurser för design
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
75
Andra namn
2156-IRFU3410PBF
INFINFIRFU3410PBF
SP001578398
*IRFU3410PBF
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
NTD6414ANT4G
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
794
DEL NUMMER
NTD6414ANT4G-DG
ENHETSPRIS
0.66
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IRFS7430TRL7PP
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
IRF7425PBF
MOSFET P-CH 20V 15A 8SO
IRLR8743TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
