IRFSL7762PBF

Tillverkare Produktnummer:

IRFSL7762PBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRFSL7762PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 75V 85A TO262

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 75 V 85A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262

Inventarier:

54 Pcs Ny Original I Lager

12804110

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRFSL7762PBF Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Infineon Technologies

Förpackning

Tube

Serie

HEXFET®, StrongIRFET™

Produktens status

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

75 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

85A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

6V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

6.7mOhm @ 51A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.7V @ 100µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

130 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

4440 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

140W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ av montering

Through Hole

Paket för leverantörsenhet

TO-262

Paket / Fodral

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

IRFSL7762PBF-DG

Ytterligare information

Standard-paket

50

Andra namn

SP001576382

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

infineon-technologies

IPW60R125P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3

infineon-technologies

IPD65R1K4C6ATMA1

MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3

infineon-technologies

IPS060N03LGAKMA1

MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3

infineon-technologies

IPB029N06N3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK