Tillverkare Produktnummer:
IRFSL7437PBF
Product Overview
Tillverkare:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRFSL7437PBF-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
Inventarier:
2743 Pcs Ny Original I Lager
12804838
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
IRFSL7437PBF Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
HEXFET®, StrongIRFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
1.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 150µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7330 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
230W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IRFSL7437
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
INFIRFIRFSL7437PBF
2156-IRFSL7437PBFINF
SP001578458
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPD60R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
IRFR3411TRPBF
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
