IRFSL4620PBF
Tillverkare Produktnummer:

IRFSL4620PBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRFSL4620PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 24A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-262

Inventarier:

Förfrågan Online
12805732
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
vpsh
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFSL4620PBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
-
Serie
HEXFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
77.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1710 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
144W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datablad och dokument

Datablad
IRFS(L)4620PbF
Datasheets
IRFSL4620PBF
HTML-Datasheet
IRFSL4620PBF-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
SP001567964

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
infineon-technologies

IRFI4321PBF

MOSFET N-CH 150V 34A TO220AB FP

infineon-technologies

IRF3704

MOSFET N-CH 20V 77A TO220AB

infineon-technologies

IRFP4332-203PBF

MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC

infineon-technologies

IRFSL3306PBF

MOSFET N-CH 60V 120A TO262