IRFSL3006PBF
Tillverkare Produktnummer:

IRFSL3006PBF

Product Overview

Tillverkare:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRFSL3006PBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262

Inventarier:

1000 Pcs Ny Original I Lager
12823457
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFSL3006PBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Infineon Technologies
Förpackning
Tube
Serie
HEXFET®
Produktens status
Not For New Designs
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
2.5mOhm @ 170A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8970 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IRFSL3006

Datablad och dokument

Datablad
IRFS(L)3006PBF
Datasheets
IRFSL3006PBF
HTML-Datasheet
IRFSL3006PBF-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
SP001573396
IRFSL3006PBF-DG
448-IRFSL3006PBF

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDP040N06

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

infineon-technologies

IRF6633TRPBF

MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

nxp-semiconductors

BS108,126

MOSFET N-CH 200V 300MA TO92-3

infineon-technologies

IRF7779L2TR1PBF

MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET